氮化(huà)鋁(lǚ)陶瓷片(piàn)（AIN）是(shì)新(xīn)型功能(néng)電(diàn)子陶瓷材料，是(shì)以(yǐ)氮化(huà)鋁(lǚ)粉作(zuò)为(wèi)原料，采用(yòng)流延工藝，經(jīng)高(gāo)温(wēn)燒結而(ér)制成(chéng)的(de)陶瓷基片(piàn)，具有(yǒu)氮化(huà)鋁(lǚ)材料的(de)各(gè)種(zhǒng)優异(yì)特(tè)性(xìng)，符合封(fēng)装電(diàn)子基片(piàn)應(yìng)具備的(de)性(xìng)質(zhì)，是(shì)高(gāo)密度，大(dà)功率，多(duō)芯片(piàn)組件(jiàn)等半導體(tǐ)器件(jiàn)和(hé)大(dà)功率，高(gāo)亮(liàng)度的(de)LED基板及(jí)封(fēng)装材料的(de)关键材料，被認为(wèi)是(shì)最(zuì)理(lǐ)想(xiǎng)的(de)基板材料，廣泛應(yìng)用(yòng)于(yú)通(tòng)訊器件(jiàn)、高(gāo)亮(liàng)度LED、電(diàn)力電(diàn)子器件(jiàn)等行業。

氮化(huà)鋁(lǚ)陶瓷性(xìng)能(néng)特(tè)點(diǎn)：

1、热(rè)導率高(gāo)，是(shì)氧化(huà)鋁(lǚ)的(de)5-10倍。

2、热(rè)膨脹系數（4.5-10-6/℃）与半導體(tǐ)矽材料（3.5-4.0-10-6/℃）匹(pǐ)配。

3、机械性(xìng)能(néng)好(hǎo)，抗彎強(qiáng)度高(gāo)，接近(jìn)氧化(huà)鋁(lǚ)。

4、電(diàn)学性(xìng)能(néng)優良，具有(yǒu)极(jí)高(gāo)的(de)絕缘電(diàn)阻和(hé)低(dī)的(de)介質(zhì)損耗。

5、電(diàn)路(lù)材料的(de)相容性(xìng)好(hǎo)，可(kě)以(yǐ)进行多(duō)层(céng)布線(xiàn)，實(shí)现封(fēng)装的(de)高(gāo)密度和(hé)小型化(huà)。

6、無毒、环(huán)保。

陶瓷产品处理(lǐ)形式：

1、可(kě)根(gēn)據(jù)客戶需求做表(biǎo)面(miàn)金(jīn)屬化(huà)鍍金(jīn)、鍍银(yín)、鍍铜(tóng)等金(jīn)屬，其(qí)導热(rè)效果(guǒ)更(gèng)好(hǎo)。

2、常規類(lèi)陶瓷产品可(kě)做抛光(guāng)处理(lǐ)（可(kě)进行單、双(shuāng)面(miàn)抛光(guāng)），抛光(guāng)之(zhī)后的(de)表(biǎo)面(miàn)光(guāng)潔度为(wèi)Ra:0.02-0.05μm，無孔洞(dòng)现象。

3、其(qí)他(tā)处理(lǐ)方(fāng)式可(kě)依客戶的(de)图(tú)紙(zhǐ)要(yào)求加工。

氮化(huà)鋁(lǚ)陶瓷加工：

1、開(kāi)模具加工：除激光(guāng)加工外(wài)的(de)产品都需要(yào)開(kāi)模具加工。

2、激光(guāng)加工产品：根(gēn)據(jù)客戶要(yào)求,采用(yòng)激光(guāng)产品(氮化(huà)鋁(lǚ)、氧化(huà)鋁(lǚ)、氧化(huà)锆等）进行劃(huà)線(xiàn)、打(dǎ)孔及(jí)開(kāi)糟加工，激光(guāng)打(dǎ)孔最(zuì)小孔徑0.05mm，激光(guāng)切(qiè)割厚度2mm以(yǐ)下(xià)，其(qí)产品加工精度高(gāo)，重(zhòng)複性(xìng)好(hǎo)。

氮化(huà)鋁(lǚ)陶瓷應(yìng)用(yòng)：

氮化(huà)鋁(lǚ)陶瓷基板廣泛應(yìng)用(yòng)于(yú)混合集成(chéng)電(diàn)路(lù)互連(lián)基板、 微波(bō)器件(jiàn)、 光(guāng)電(diàn)通(tòng)信(xìn)、 傳感(gǎn)器、 MCM等領域。包(bāo)括光(guāng)電(diàn)器件(jiàn)基板、陶瓷载(zài)體(tǐ)、激光(guāng)器载(zài)體(tǐ)、片(piàn)式電(diàn)容、片(piàn)式功率分(fēn)配器、傳感(gǎn)器、又指電(diàn)容和(hé)螺旋電(diàn)感(gǎn)等。