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電(diàn)子陶瓷基板的(de)由来(lái)及(jí)應(yìng)用
中(zhōng)國(guó)科學(xué)院(yuàn)上(shàng)海(hǎi)矽酸(suān)盐(yán)研究所(suǒ)(SICAS)11月(yuè)9日在(zài)上(shàng)海(hǎi)舉行了關(guān)于(yú)電(diàn)子陶瓷材料發(fà)展(zhǎn)的(de)曆史及(jí)由来(lái)的(de)座談会(huì),內(nèi)容丰富,主(zhǔ)題(tí)新(xīn)穎、前(qián)沿,引起(qǐ)了在(zài)座人員热(rè)烈的(de)讨論。教授表(biǎo)示國(guó)外(wài)公(gōng)司已經(jīng)研發(fà)出(chū)了新(xīn)型氮化矽陶瓷基板(Si3N4),它(tā)的(de)抗彎強(qiáng)度(dù)、斷裂韌性(xìng)都可(kě)以(yǐ)达(dá)到(dào)氮化鋁(lǚ)的(de)2倍以(yǐ)上(shàng),其(qí)陶瓷片(piàn)的(de)導热(rè)系(xì)数已經(jīng)高(gāo)到(dào)180W/m-k,具備較低(dī)的(de)介電(diàn)常数和(hé)介質(zhì)損耗,可(kě)靠的(de)絕緣性(xìng)能(néng),優良的(de)力學(xué)性(xìng)能(néng),無毒,耐高(gāo)温(wēn),耐化學(xué)腐蝕,且(qiě)氮化鋁(lǚ)與(yǔ)的(de)热(rè)阻相接近。
IGBT模块(kuài)是(shì)各(gè)種(zhǒng)逆變(biàn)電(diàn)源的(de)心(xīn)髒,在(zài)新(xīn)能(néng)源汽車、大(dà)功率工程機(jī)械、智能(néng)家(jiā)居(jū)、軌道(dào)交通(tòng)、通(tòng)讯設備、軍工航天等領域應(yìng)用广泛,而(ér)高(gāo)強(qiáng)度(dù)、高(gāo)導热(rè)的(de)氮化鋁(lǚ)基板IGBTM模板的(de)關(guān)鍵性(xìng)材料之(zhī)一(yī)。
在(zài)全(quán)球半導體(tǐ)技術(shù)朝着更(gèng)大(dà)功率、電(diàn)流、功率的(de)方(fāng)向發(fà)展(zhǎn),对(duì)于(yú)基片(piàn)材料的(de)要(yào)求也(yě)是(shì)越来(lái)越苛刻(kè),而(ér)氮化矽陶瓷基片(piàn)是(shì)集高(gāo)導热(rè)率,高(gāo)強(qiáng)度(dù)于(yú)一(yī)身(shēn)的(de)綜合性(xìng)能(néng)的(de)優秀基板材料,氮化矽陶瓷基板必将是(shì)未来(lái)半導體(tǐ)器件(jiàn)陶瓷基片(piàn)的(de)發(fà)展(zhǎn)趨勢,为(wèi)第(dì)三(sān)代(dài)半導體(tǐ)的(de)發(fà)展(zhǎn)提(tí)供堅實(shí)的(de)基礎。
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