導热(rè)陶瓷垫(diàn)片(piàn)是(shì)一(yī)種(zhǒng)主(zhǔ)要(yào)由氧化鋁(lǚ)为(wèi)主(zhǔ)的(de)高(gāo)導热(rè)性(xìng)能(néng)電(diàn)子陶瓷材料，質(zhì)地(dì)堅硬(yìng)呈白(bái)色，可(kě)适應(yìng)高(gāo)温(wēn)高(gāo)压多(duō)塵(chén)的(de)惡劣工作(zuò)环(huán)境，可(kě)滿足電(diàn)子材料防塵(chén)防水(shuǐ)、導热(rè)絕緣的(de)理(lǐ)想(xiǎng)性(xìng)能(néng)；陶瓷片(piàn)主(zhǔ)要(yào)用于(yú)功率器件(jiàn)與(yǔ)散热(rè)器之(zhī)間(jiān)的(de)傳热(rè)和(hé)電(diàn)气(qì)隔離能(néng)，能(néng)夠提(tí)高(gāo)電(diàn)子設備運行的(de)安(ān)全(quán)性(xìng)和(hé)穩定(dìng)性(xìng)。

氧化鋁(lǚ)陶瓷片(piàn)表(biǎo)面(miàn)粗(cū)糙度(dù)較高(gāo)，直(zhí)接裝(zhuāng)配将会(huì)導致(zhì)陶瓷片(piàn)與(yǔ)功率器件(jiàn)、散热(rè)器之(zhī)間(jiān)会(huì)存在(zài)許多(duō)细(xì)微間(jiān)隙，而(ér)縫隙中(zhōng)的(de)空气(qì)将会(huì)增加接觸热(rè)阻；通(tòng)常在(zài)陶瓷片(piàn)安(ān)裝(zhuāng)时(shí)，会(huì)在(zài)陶瓷两(liǎng)側塗矽脂填充間(jiān)隙，減小它(tā)们(men)之(zhī)間(jiān)的(de)接觸热(rè)阻。

热(rè)傳導途徑：功率元(yuán)件(jiàn)→導热(rè)矽脂→陶瓷垫(diàn)片(piàn)→導热(rè)矽脂→金(jīn)屬散热(rè)片(piàn)

陶瓷垫(diàn)片(piàn)特(tè)點(diǎn)：

1、氧化鋁(lǚ)陶瓷垫(diàn)片(piàn)導热(rè)系(xì)数高(gāo)达(dá)25~30W/(m-K)，遠(yuǎn)比導热(rè)矽胶(jiāo)片(piàn)的(de)導热(rè)系(xì)数高(gāo)，而(ér)目前(qián)矽胶(jiāo)垫(diàn)片(piàn)的(de)導热(rè)系(xì)数大(dà)都在(zài)1.0~1.5 W/(m-K)，進(jìn)口(kǒu)的(de)贝格斯系(xì)列矽胶(jiāo)布(bù)也(yě)只(zhī)有(yǒu)3.5W；因(yīn)此(cǐ)陶瓷片(piàn)成(chéng)为(wèi)了矽胶(jiāo)片(piàn)的(de)理(lǐ)想(xiǎng)替代(dài)導热(rè)材料。

2、陶瓷垫(diàn)片(piàn)的(de)擊穿強(qiáng)度(dù)在(zài)10kV~12kV，可(kě)承受1700℃以(yǐ)上(shàng)高(gāo)温(wēn)，适應(yìng)高(gāo)压、高(gāo)磨損、強(qiáng)腐蝕的(de)惡劣工作(zuò)环(huán)境，能(néng)夠滿足電(diàn)子産品各(gè)種(zhǒng)场(chǎng)合的(de)應(yìng)用要(yào)求。

3、高(gāo)热(rè)傳效率可(kě)以(yǐ)減少(shǎo)設備因(yīn)高(gāo)温(wēn)導致(zhì)的(de)各(gè)種(zhǒng)問(wèn)題(tí)，能(néng)夠提(tí)高(gāo)設備運行的(de)安(ān)全(quán)性(xìng)和(hé)穩定(dìng)性(xìng)；而(ér)且(qiě)陶瓷片(piàn)完全(quán)符合歐盟RoHS环(huán)保标(biāo)準。

安(ān)裝(zhuāng)注意(yì)事(shì)項

1、陶瓷垫(diàn)片(piàn)的(de)脆性(xìng)較大(dà)，在(zài)安(ān)裝(zhuāng)时(shí)需要(yào)注意(yì)散热(rè)器的(de)表(biǎo)面(miàn)平整度(dù)；

2、功率MOS管(guǎn)使用氧化鋁(lǚ)陶瓷垫(diàn)片(piàn)作(zuò)为(wèi)时(shí)，尺寸(cùn)必须滿足功率MOS管(guǎn)到(dào)散热(rè)器的(de)爬電(diàn)距離要(yào)求；

3、由于(yú)MOS管(guǎn)是(shì)通(tòng)过(guò)螺丝(sī)與(yǔ)散热(rè)器連(lián)接固定(dìng)，在(zài)螺丝(sī)上(shàng)加裝(zhuāng)絕緣套(tào)管(guǎn)，能(néng)夠增加功率MOS管(guǎn)到(dào)散热(rè)器的(de)爬電(diàn)距離。